MOS管一级代理 功成半导体 CPD50R1K1G3

 CPD50R1K1G3 ，

Product	BV(V)	Id(A)	Rdson(mΩ)@10V		Vth(V)	Package
			Typ	Max
CPD50R1K1G3	500	2	950	1100	3.3	TO-252

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CPD50R2K2G3	500	2	2000	2200	3.3	TO-252
CPD55R200G3	550	20	170	200	3.2	TO-252
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CPP60R190FT4	600	21	160	190	3.5	TO-220
CPL60R190FT4	600	21	160	190	3.5	DFN8*8
CPA60R280G2	600	15	230	280	3.3	TO-220F
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CPP60R280G2	600	15	230	280	3.3	TO-220
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CPD60R1K5G3	600	2	1300	1500	3.3	TO-252
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CPD60R2K2G3	600	2	1900	2200	3	TO-252
CPP60R2K2G3	600	2	1900	2200	3	TO-220
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CPA65R340G2	650	14	280	340	3.3	TO-220F
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CPA65R380G3	650	11	340	380	3	TO-220F
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CPL65R380G3	650	11	340	380	3	DFN8*8
CPA65R650G2	650	8	560	650	3.2	TO-220F
CPD65R650G2	650	8	560	650	3.2	TO-252
CPP65R650G2	650	8	560	650	3.2	TO-220
CPN65R650G2	650	8	560	650	3.2	SOT-223
CPA65R950G2	650	4.5	860	950	3.3	TO-220F
CPD65R950G2	650	4.5	860	950	3.3	TO-252
CPP65R950G2	650	4.5	860	950	3.3	TO-220
CPN65R950G2	650	4.5	860	950	3.3	SOT-223
CPA65R2K4G3	650	2	2100	2400	3	TO-220F
CPD65R2K4G3	650	2	2100	2400	3	TO-252
CPI65R2K4G3	650	2	2100	2400	3	TO-251
CPP65R2K4G3	650	2	2100	2400	3	TO-220
CPA80R180G1	800	24	150	180	3.3	TO-220F
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CPA80R650G1	800	8	560	650	3.5	TO-220F
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CPI80R900G1	800	5	800	900	3.5	TO-251
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CPA90R340G1	900	14	290	340	3.3	TO-220F
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CPP95R1K6G1	950	4	1300	1600	3.3	TO-220

导通电阻的影响因素主要有：

沟道长度主要受材料类型和工艺参数的影响，如 Si （GaAs）， SiC （AlGaN）等。

寄生效应：这是因为这些材料中存在大量电子，所以如果沟道过长或者过短都会增加 MOS器件的寄生电容。

一、器件特性

1.反向击穿电压：通常在1.65V以上。

2.正向导通电阻：根据电流大小分为小（1~10kA）、中（10~30kA）、大（30~100kA）三种，在这三种情况下都是导通电阻。

3.漏电流：随着电流增大，漏极电压升高，所以要减小漏电流。

4.击穿电压：在一定的条件下，可以认为是器件的一种特性。

5.反向击穿电压与导通电阻之比称为反向击穿电流比（Rff），一般用 Rff表示。反向击穿电流比越大说明击穿点越低，则导通电阻就越大。

6.热效应：当温度升高时会产生更多的热量，也就是所谓“热阻”。

7.开关速度：在一定条件下导通速度取决于开关速度和栅极漏源之间的相对位置。

8.阈值电压：器件的关断电压和栅极宽度之间的关系可以表示为P=I/Q，这一关系称为“阈值电压”（Vth）

二、总结

以上分析表明， VMOS器件的导通电阻主要取决于工艺参数，如沟道长度、温度等。

另外还要考虑有无结区、N型掺杂浓度等。

因此，从导通特性来看，中低压 MOS器件是介于低压 MOS和中压 MOS之间的一种器件，在工作频率和电流容量上都略低于中压 MOS，同时它的尺寸更小、重量更轻、可靠性更高、性能也更加优越。

所以从技术层面来看，目前主流的中低压半导体器件仍然是 MOS器件。

不过由于工艺节点和材料结构的变化，近年来出现了很多新型结构 VMOS和双极型（DRAM） VMOSFET等，这些新结构有一个共同的特点：沟道长度变短了。

在这些新材料中也有一些性能比较优越的器件是基于沟道长度比较长的器件制成的：如 GaAs FET等。

因此，在设计中应该充分考虑这些新现象。

最后要说明一点：由于中压半导体材料与传统低压半导体材料相比成本比较高（如 Si衬底）。所以为了降低成本和提升可靠性一般采用更高质量的单晶硅衬底代替 SiGe （砷化镓）等材料来制作更高性能的 MOS管，但相应地需要更多的工艺和设备、更高质量的芯片和相应费用。所以在选择晶圆供应商时应该尽量选择能满足成本与性能要求同时又符合工艺特性要求最优解之一的晶圆供应商。